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TVS二極管的主要參數
作者: 編輯: 來源: 發布日期: 2019.11.06
信息摘要:
TVS瞬態抑制二極管的主要參數①VBR:RevereBreakdowVoltage(反向崩潰電壓即擊穿電壓)定義:當TVS流過規定的1mA電…
  TVS瞬態抑制二極管的主要參數
  ① VBR :Reverse Breakdown Voltage (反向崩潰電壓即擊穿電壓)
  定義: 當TVS 流過規定的1mA 電流( IR )時,測德TVS 兩極間的電壓VBR 是TVS 最小的雪崩電壓。25℃時,在這個電壓之前,TVS 是不導通的, 當瞬態電壓超過VBR ,瞬態電壓抑制二極管便產生崩潰把瞬態電壓抑制在某個水平, 提供瞬態電流一個超低電阻通路,讓瞬態電流透過瞬態電壓抑 制二極管被引開, 避開被保 護元件。
  ② IR: Reverse Leakage Current (反向漏電電流)
  當最大反向工作電壓施加到TVS上時,TVS管有一個漏電流IR,一般都會有10-100μA的反向漏電電流。當TVS用于高阻抗電路時,這個漏電流是一個重要的參數。
  ③ VRWM: 最大反向工作電壓 (Reverse Stand-off Voltage:可承受的反向電壓)是器件反向工作時,在規定的IR下,器件兩端的電壓值。此時二極管為不導通之狀態,通常VRWM=(0.8~0.9)VBR.使用時,應使VRWM不低于被保護器件或線路的正常工作電壓。
  ④ VC(max ):最大箝位電壓(TVS diode Clamping Voltage :抑制電壓)
  在脈沖峰值電流Ipp 作用下,器件兩端的最大電壓值稱為最大箝位電壓。使用時,應使VC(max )不高于被保護器件的最大允許安全電壓。最大箝位電壓與擊穿電壓之比稱為箝為系數。即:箝位系數=VC(max )/VBR一般箝位系數為1.3左右。
  ⑤ Cj:TVS diodeJunction Capacitance (瞬態二極管的電容值)
  TVS的電容由硅片的面積和偏置電壓來決定,電容在零偏情況下,隨偏置電壓的增加,該電容值呈下降趨勢。電容的大小會影響TVS器件的響應時間。瞬態電壓抑制二極管的電容值越大對電路的干擾越大, 形成噪音越大或衰減 訊號強度越大, 對于數據/訊號頻率越高的回路,電容值不大于10pF.
  ⑥ IPP:最大的峰值脈沖電流。
  在反向工作時,在規定的脈沖條件下,器件允許通過的最大脈沖峰值電流。
  ⑦ PPR:反向脈沖峰值功率。
  TVS的PPR取決于脈沖峰值電流IPP和最大箝位電壓VC,除此以外,還和脈沖波形、脈沖時間及環境溫度有關。

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